DMN3010LK3-13-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:50A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:7.5mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本N沟道场效应管（MOSFET）具备30V漏源电压（VDSS）和50A连续漏极电流（ID）能力，适用于多种功率控制场景。其导通电阻（RDON）仅为7.5mΩ，可显著降低导通损耗，提升系统效率。器件结构设计优化，具备良好的热稳定性和耐用性，适合用于电源管理模块、电机控制电路、开关电源及各类中高功率电子设备，为高效能、高可靠性的电路设计方案提供有力支持。
