SI3415-HXY_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:5A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:35mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
本款P沟道场效应管（MOSFET）具有20V的漏源耐压（VDSS），可承受连续漏极电流（ID）达5A，导通电阻（RDON）低至35毫欧，适用于需要高效功率控制的场景。该器件采用先进工艺制造，具备良好的热稳定性和开关性能，适合用于电源管理、负载开关、电池供电设备及小型电器等领域的电路设计。其低导通电阻有效降低功率损耗，提升系统整体效率。
