DMP2070U-7-HXY_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:5A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:35mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款P沟道场效应管（MOSFET）具备20V漏源电压（VDSS）和5A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）仅为35毫欧，适用于多种功率控制电路。器件采用成熟工艺制造，具备良好的开关特性和热稳定性，适合应用于电源管理模块、便携式电子设备、电池供电系统以及小型家用电器等场景。其低导通电阻有效减少能量损耗，提升整体电路效率，满足多样化设计需求。
