SIR1309DP-T1-GE3-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:70A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:6mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款P沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源耐压（VDSS），可承受高达70A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDON）低至6mΩ，有助于降低导通损耗并提升系统效率。该器件采用先进工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于各类中高功率电源管理系统、直流电机控制、负载开关电路以及电池供电设备中的功率切换应用。其封装形式便于安装与散热，能够满足多种高性能电子设备的设计需求。
