BSC057N03LSG-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:50A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:6.5mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道增强型场效应管（MOSFET）具备优异的电性能与可靠性，适用于多种高效电源管理系统。其额定漏极电流ID为50A，漏源耐压VDSS达30V，满足较高功率需求；导通电阻RDON低至6.5mΩ，有助于降低损耗并提升整体效率。器件采用成熟工艺制造，具备良好的热稳定性和耐用性，适用于同步整流、DC-DC变换、储能系统及高性能计算设备中的电源模块设计，是实现高效能电力转换的理想选择。
