SM6362D1RL-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:50A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:6.5mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具备良好的电性能与稳定性，持续漏极电流ID为50A，漏源电压VDSS达30V，适用于多种中高功率电源管理应用。导通电阻RDON为6.5mΩ，有助于减少导通损耗，提升系统整体效率。器件采用成熟封装工艺，具备优良的散热能力与可靠性，适合用于各类电源转换电路、负载开关及高效能电子设备中，实现稳定的开关控制与能量传输。
