DMP34M4SPS-13-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:110A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:3mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为P沟道场效应管（MOSFET），具备30V漏源耐压（VDSS）与110A额定漏极电流（ID），可满足较高功率密度的设计需求。导通电阻（RDON）典型值为3mΩ，有效降低导通损耗，提升整体能效表现。该器件适用于各类电源管理系统、开关控制电路以及电池供电设备中的功率切换应用，具备良好的热稳定性和可靠性，能够胜任复杂工况下的持续运行任务。
