IRFR3710ZTRLPBF-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:60A 参数2：电压VDSS:100V 参数3：RDON:13.5mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有以下主要参数：漏极电流ID为60A，漏源击穿电压VDSS为100V，导通电阻RDON为13.5mΩ。该器件适用于需要高效功率控制的电路设计，能够在较高频率下稳定工作，适合用于电源转换、电机驱动以及各类电子设备中的开关应用。其低导通电阻特性有助于减少能量损耗，提高系统整体效率。
