IPD60N10S4L12ATMA1-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:60A 参数2：电压VDSS:100V 参数3：RDON:13.5mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）在电源管理和功率控制领域表现出色。其漏极电流ID为60A，漏源电压VDSS为100V，导通电阻RDON为13.5mΩ，具备良好的导电能力和热稳定性，适合中高功率应用场景。该器件适用于开关电源、同步整流电路、电池保护模块及各类高效能电子设备中的功率转换与调节单元，为系统提供高效、可靠的解决方案。
