NTA4151PT1G-HXY_SOT-523_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-523 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:0.66A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:260mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款P沟道场效应管（MOSFET）主要参数如下：漏极电流ID为0.66A，漏源击穿电压VDSS为20V，导通电阻RDON为260mΩ。该器件适用于低电压电源管理及信号切换电路，具备良好的开关特性和稳定性。由于其较低的工作电压特性，适合用于便携式电子设备、逻辑控制电路以及各类小型化应用中，有助于实现电路的高效运行与简化设计。
