SI2377EDS-T1-BE3-HXY_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:4.2A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:48mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款P沟道场效应管（MOSFET）具备4.2A的连续漏极电流（ID）和20V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDON）为48毫欧，适用于中低功率开关电路。其低导通电阻有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件可广泛应用于电源转换、电池管理、直流负载控制等领域，适合嵌入于通信模块、家用电器及小型电子设备中，满足高效、紧凑型电路设计的需求。
