CMUDM8005-HXY_SOT-523_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-523 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:0.66A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:260mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款P沟道场效应管（MOSFET）主要参数为：漏极电流ID为0.66A，漏源击穿电压VDSS为20V，导通电阻RDON为260mΩ。该器件适用于低功耗电源管理及信号切换应用，具有良好的开关特性和稳定的电气性能。适合用于小型电子设备、逻辑控制电路以及电池供电系统中的开关控制，有助于提升电路的响应速度与能效表现。
