NDS9435A-HXY_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:5.8A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:43mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款P沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源耐压（VDSS），可承载连续漏极电流（ID）达5.8A，导通电阻（RDON）低至43毫欧。该器件适用于各类中功率电源管理场合，如DC-DC转换器、负载开关和电源分配系统，提供高效、稳定的性能支持。
