BSO200P03S-HXY_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:11A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:13mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款P沟道场效应管（MOSFET）具有优异的导通性能与稳定的工作表现。其漏极电流ID为11A，漏源电压VDSS为30V，确保在中高功率应用中的可靠性。导通电阻RDON低至13mΩ，有效降低导通损耗，提高系统效率。适用于各类电源管理、负载开关、适配器及消费类电子产品中，提供高效的电能控制方案。器件采用标准封装形式，便于布局与焊接，满足多样化电路设计需求。
