FDS6890A-HXY_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:8A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:13mR 参数4：沟道类型:N+N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款NN沟道场效应管（MOSFET）采用双通道设计，单通道支持连续漏极电流达8A（ID），漏源耐压（VDSS）为20V，导通电阻低至13毫欧（RDON），有效降低功率损耗。器件具备优异的开关速度与热稳定性，适用于高性能电源转换、便携式电子设备、通信模块及计算平台中的同步整流、负载开关、电机控制及电池管理系统，可提升整体系统效率与响应速度。
