NDS8435A-HXY_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:11A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:13mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款P沟道场效应管（MOSFET）具备良好的导电性能与稳定的电气参数。其最大漏极电流ID为11A，漏源击穿电压VDSS为30V，适用于多种中低压功率场景。导通电阻RDON仅为13mΩ，有助于减少功率损耗并提升整体效率。该器件常用于电源转换、电池管理、DC-DC变换器及各类便携式电子设备中，实现高效的开关控制功能。标准的封装形式便于集成与生产，满足多样化电路设计的需求。
