DMTH4007SPDQ-13-HXY_DFN5X6B-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6B-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:40A 参数2：电压VDSS:40V 参数3：RDON:6.9mR 参数4：沟道类型:N+N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款场效应管（MOSFET）采用NN沟道设计，具备优异的导通性能与高效能特性。其漏极电流ID可达40A，漏源电压VDSS为40V，适用于中高功率应用场景。导通电阻RDON低至6.9mΩ，有效降低导通损耗并提升系统效率。该器件适用于电源管理、开关电路及负载控制等多样化电子设备需求，提供稳定可靠的电气性能表现。
