NVMFD5C466NWFT1G-HXY_DFN5X6B-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6B-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:40A 参数2：电压VDSS:40V 参数3：RDON:6.9mR 参数4：沟道类型:N+N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本场效应管（MOSFET）采用NN沟道结构，具备良好的导通特性和高效率表现。其漏极电流ID为40A，漏源电压VDSS为40V，适用于多种中高功率电路应用需求。导通电阻RDON低至6.9mΩ，有助于减少能量损耗并提升整体系统性能。该器件可广泛应用于电源转换、开关控制及负载调节等电子电路中，提供稳定可靠的运行表现。
