NTMFD5C466NT1G-HXY_DFN5X6B-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6B-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:40A 参数2：电压VDSS:40V 参数3：RDON:6.9mR 参数4：沟道类型:N+N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为NN沟道场效应管（MOSFET），具备40A的连续漏极电流（ID）和40V的漏源击穿电压（VDSS），适用于中高功率应用场景。导通电阻（RDON）低至6.9mΩ，可有效降低导通损耗，提高系统效率。器件采用双沟道结构设计，集成度高，在电源管理、负载开关、电机控制及同步整流等场景中表现出良好的电气性能与稳定性。适用于各类高效能电子设备中的功率转换与控制电路。
