NVMFD5873NLT1G-HXY_DFN5X6B-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6B-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:35A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:11mR 参数4：沟道类型:N+N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
本产品为NN沟道场效应管（MOSFET），具有35A的连续漏极电流（ID）与60V的漏源击穿电压（VDSS），适用于多种中高功率应用场合。导通电阻（RDON）为11mΩ，有助于降低导通损耗，提升整体效率。采用双沟道结构设计，具备良好的集成性与稳定性，适合用于电源管理、开关电路、电机驱动及同步整流等场景，在各类高效能电子设备中可实现可靠的功率控制与转换功能。
