DMTH47M2LFVW-7-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:40A 参数2：电压VDSS:40V 参数3：RDON:6.9mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本N沟道场效应管（MOSFET）具有40A的漏极电流ID和40V的漏源电压VDSS，适用于多种中高功率电路设计。导通电阻RDON仅为6.9mΩ，有效降低导通状态下的功率损耗，提升系统整体效率。器件具备良好的热稳定性和耐用性，适合用于电源管理、DC-DC转换、电机驱动、储能设备以及其他对效率与可靠性有要求的电子电路应用场合。
