DMTH48M3SFVWQ-7-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:40A 参数2：电压VDSS:40V 参数3：RDON:6.9mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的电性能表现，漏极电流ID可达40A，漏源电压VDSS为40V，满足中高功率应用场景需求。导通电阻RDON低至6.9mΩ，可显著降低导通损耗，提升整体系统效率。器件结构设计优化，具备良好的热稳定性与开关特性，适用于电源转换、电机控制、储能系统及各类高效能电子设备中的开关与调节电路。
