DMTH47M2LFVWQ-7-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:40A 参数2：电压VDSS:40V 参数3：RDON:6.9mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的导通性能与高效率特性，适用于多种高密度电源转换场景。其漏极电流ID可达40A，漏源电压VDSS为40V，确保在中高压应用中的稳定运行；导通电阻RDON低至6.9mΩ，显著降低导通损耗，提高系统能效。该器件采用成熟工艺制造，具备良好的热稳定性和耐久性，适合用于高效同步整流、直流电机控制、功率开关以及各类高要求的电源管理系统中，为电路设计提供可靠的核心支持。
