SFR9034TF-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:15A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:95mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
本款P沟道场效应管（MOSFET）具有15A的额定漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS），可满足中高功率电路的设计需求。导通电阻（RDON）典型值为95毫欧，有助于降低导通损耗，提升系统效率。该器件适用于多种电源管理与开关应用，如DC-DC转换器、电机控制电路及电池供电设备中的负载开关，具备良好的热稳定性和耐久性，适合对性能与可靠性有较高要求的电子系统设计。
