IRLR9343PBF-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:15A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:95mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款P沟道场效应管（MOSFET）具备15A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS），可适应较高功率应用场景。其导通电阻（RDON）典型值为95毫欧，有助于减少导通状态下的功率损耗，提高整体能效。器件适用于各类中高功率电子设备，如电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统，具备良好的热稳定性和开关特性，为电路设计提供可靠支持。
