SFR9034TM-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:15A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:95mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款P沟道场效应管（MOSFET）具有60V的漏源耐压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）低至95mΩ，可有效降低导通损耗并提升系统效率。器件适用于各类中功率电源转换场景，如直流电源管理、负载开关控制及适配器电路设计。其封装形式便于散热与安装，具备良好的热稳定性和可靠性，适合用于通信设备、消费类电子产品及智能家电等领域的电源模块中，为电路提供高效、稳定的场控性能。
