IRLR9343TRPBF-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:15A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:95mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款P沟道场效应管（MOSFET）具有60V的漏源耐压（VDSS），可承受持续工作电流达15A（ID），导通电阻（RDON）典型值为95毫欧，有助于降低导通损耗并提高系统效率。该器件适用于各类中功率电源管理系统，如直流电机控制、开关电源及负载开关电路，提供稳定可靠的性能支持。
