DMN2320UFB4-7B-HXY_DFN1006-3L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN1006-3L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：10000/圆盘 参数1：电流ID:0.7A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:220mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）主要参数如下：最大漏极电流（ID）为0.7A，漏源击穿电压（VDSS）为20V，导通电阻（RDON）为220mΩ。该器件适用于各类中低功率电子设备中的开关与控制电路，如便携式电子产品、小型电源模块、LED驱动电路以及各类电池供电的智能设备。其参数设计有助于实现稳定的开关性能与较高的能效表现，适合对空间和功耗有要求的电路应用。
