NVTR4503NT1G-HXY_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:2A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:86mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有以下主要参数：最大漏极电流（ID）为2A，漏源击穿电压（VDSS）为30V，导通电阻（RDON）低至86mΩ。该器件适用于需要高效开关和功率控制的多种场景，例如电源管理、电池供电设备以及小型电子系统中的直流电机或负载驱动电路。其低导通电阻有助于降低功耗并提升整体能效。
