IPD50N04S3-09-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:60A 参数2：电压VDSS:40V 参数3：RDON:7.7mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具备高电流承载能力和优异的导通性能。器件最大漏极电流ID为60A，漏源电压VDSS为40V，导通电阻RDON低至7.7mΩ，可有效提升系统效率并减少功率损耗。采用成熟稳定的制造工艺，具有良好的热稳定性和耐用性，适用于各类高频开关电源、同步整流模块、电池管理系统以及消费类电子设备中的高效功率控制电路。
