IPD50N04S410ATMA1-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:60A 参数2：电压VDSS:40V 参数3：RDON:7.7mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），适用于高效率、高密度电源转换系统。其主要参数包括：漏极电流ID为60A，漏源电压VDSS为40V，导通电阻RDON低至7.7mΩ，可有效降低导通损耗并提升系统效率。该器件采用先进工艺制造，具备优良的热稳定性和可靠性，适用于各类高性能开关电源、同步整流、电池管理及负载开关等应用场景。
