BUK6212-40C-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:60A 参数2：电压VDSS:40V 参数3：RDON:7.7mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具有优异的性能和可靠性，适用于多种电源管理与功率控制场景。其主要参数包括：最大漏极电流ID为60A，漏源击穿电压VDSS为40V，导通电阻RDON低至7.7mΩ，确保在高负载条件下仍能保持较低的导通损耗。该器件结构稳定、响应速度快，适合用于高效开关电源、同步整流电路、电池保护模块及各类精密电子设备中的功率控制单元。
