DMT615MLFV-13-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:40A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:12mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本N沟道场效应管（MOSFET）具备40A漏极电流（ID）和60V漏源电压（VDSS），导通电阻（RDON）低至12mΩ，可在较高功率条件下实现快速开关与低损耗运行。器件采用成熟稳定的半导体工艺制造，具有良好的热性能和长期工作可靠性。适用于各类电源变换装置、高效能电池管理系统、直流电机控制以及高精度开关电路，为复杂电力环境下的稳定运行提供技术支持。
