DMT6015LFV-7-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:40A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:12mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具有优良的导通特性和稳定的开关性能。主要参数包括：漏极电流ID为40A，漏源击穿电压VDSS为60V，导通电阻RDON低至12mΩ，有助于降低损耗并提升整体效率。适用于电源转换、电机驱动、电池供电设备及高密度功率电路设计，支持高效、可靠的电力控制方案，是一款广泛应用于各类中高功率电子系统的理想器件。
