DMTH6016LFVWQ-7-A-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:40A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:12mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有以下主要参数：最大漏极电流ID为40A，漏源击穿电压VDSS为60V，导通电阻RDON低至12mΩ，适合高效率功率转换应用。该器件采用先进工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于电源管理、电池充放电控制、直流电机驱动及各类开关电路中，能够满足较高功率需求下的快速响应与低损耗要求。
