SQD90P04-9M4L_GE3-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:80A 参数2：电压VDSS:40V 参数3：RDON:7.3mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为P沟道场效应管（MOSFET），具有较高的电流承载能力，最大漏极电流ID可达80A，漏源电压VDSS为40V，适用于中高功率应用场景。导通电阻RDON低至7.3mΩ，有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用先进工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于各类电源管理、负载开关、电池供电设备以及消费类电子产品中的高效能需求场合。
