DMN2024U-7-HXY_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:7A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:15mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）的主要参数包括：最大漏极电流ID为7A，漏源击穿电压VDSS为20V，导通电阻RDON为15mΩ。该器件具有较快的开关速度和良好的热稳定性，适合用于中低功率电路中的开关控制。其较低的导通电阻有助于提升整体效率并降低运行温度。适用于各类消费类电子产品、便携式设备、电源管理系统以及小型开关电路的设计需求，具备较强的通用性和可靠性。
