SI2369DS-T1-BE3-HXY_SOT-23-3L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23-3L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:10A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:14mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为P沟道场效应管（MOSFET），具备10A的最大漏极电流ID和30V的漏源电压VDSS，适用于中等功率应用场景。导通电阻RDON为14mΩ，能够在导通状态下有效降低功耗，提高整体效率。器件支持最高20V的栅源电压VGS，确保稳定工作条件下具备良好的开关性能。采用成熟工艺制造，具有优异的热稳定性和可靠性，广泛适用于电源管理模块、便携式电子设备、电池供电系统及其他对能效与空间布局有要求的电子产品中。
