SI2369BDS-T1-GE3-HXY_SOT-23-3L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23-3L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:10A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:14mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为P沟道增强型场效应管（MOSFET），主要参数包括：最大漏极电流ID为10A，漏源击穿电压VDSS为30V，导通电阻RDON典型值为14mΩ，栅源电压VGS范围为±20V。该器件具有低导通损耗和高开关效率，适用于各类功率转换电路，如DC-DC电源模块、电池管理系统、负载开关控制及小型化电子设备中的功率管理单元，可为系统提供稳定的性能支持。
