RQ5E050ATTCL-HXY_SOT-23-3L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23-3L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:10A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:14mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
本款P沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源耐压（VDSS），可承受最高20V的栅源电压（VGS），导通状态下漏极电流可达10A。其导通电阻（RDON）低至14毫欧，有助于降低导通损耗，提高系统效率。适用于电源管理、开关电路及直流电机控制等场景，支持高频开关操作，为高效能、紧凑型电子设备提供可靠支持。
