SL3007-HXY_SOT-23-3L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23-3L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:10A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:14mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为P沟道场效应管（MOSFET），最大漏极电流ID为10A，漏源电压VDSS为30V，适用于中等功率电路设计。导通电阻RDON为14mΩ，有助于降低导通损耗，提升系统效率。栅源电压VGS支持最高20V，确保器件在不同工作条件下具备良好的开关特性和稳定性。该MOSFET采用成熟封装与制造工艺，具有优良的热管理能力和长期可靠性，广泛应用于电源转换、电池管理系统、便携式电子设备及其他对能效和空间布局有要求的电子产品中。
