RFD16N06LESM9A-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:20A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:27mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本N沟道场效应管（MOSFET）具有20A连续漏极电流（ID）与60V漏源耐压（VDSS），导通电阻（RDON）低至27毫欧，具备优良的导电性能和较低的导通损耗。适用于各类中高功率电源系统，如开关电源、DC-DC转换模块、电池管理系统及高效能电子设备中的功率控制电路，支持快速开关操作，有助于提升整体系统效率与稳定性。
