PXN017-30QLJ-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:20A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:15mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）主要参数如下：漏极电流ID可达20A，漏源电压VDSS为30V，导通电阻RDON典型值为15mΩ。该器件适用于各类电源转换电路、高效能同步整流系统、电机驱动模块以及便携式高功率电子设备。其低导通电阻和优异的开关特性有助于降低能量损耗，提高电路运行效率。同时具备良好的热稳定性和耐压能力，适合用于对可靠性与性能有一定要求的中高功率场景。
