SQD15N06-42L_GE3-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:20A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:27mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有60V的漏源击穿电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）低至27毫欧，适用于高效能电源管理与转换场景。器件采用成熟工艺制造，具备良好的热稳定性和开关特性，适合用于直流电机控制、功率开关电路以及电池供电设备中的能量调节模块。
