NTTFS4930NTWG-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:20A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:15mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有20A的最大漏极电流ID，30V的漏源电压VDSS，以及15mΩ的导通电阻RDON。该器件适用于电源转换、电机控制、高精度开关电路及高效能直流系统设计。其低导通电阻有效减少功率损耗，提升整体效率；同时具备良好的高频响应和稳定的工作性能，适合用于对空间与能效有要求的电子装置中。
