FDD5612-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:20A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:27mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具备20A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDON）仅为27毫欧，展现出优异的导电性能与较低的功率损耗。器件适用于多种中高功率应用场景，如电源适配器、充电设备、直流变换器及智能家电中的开关电路设计，为系统提供高效、稳定的电流控制能力。
