IAUC100N04S6N028ATMA1-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:130A 参数2：电压VDSS:40V 参数3：RDON:2.8mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具备较高的电流承载能力，漏极电流ID可达130A，漏源击穿电压VDSS为40V，导通电阻RDON低至2.8mΩ。该器件适用于对功率传输效率和热性能有较高要求的电路设计，可应用于高效电源转换、大功率负载驱动、电池管理系统以及各类高密度电力电子设备中。其低导通电阻有助于减少能量损耗，提升整体系统稳定性与可靠性。
