IPC100N04S5-2R8-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:130A 参数2：电压VDSS:40V 参数3：RDON:2.8mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的导通性能与高效率，适用于多种高性能电源管理系统。其主要参数包括：漏极电流ID为130A，漏源电压VDSS为40V，导通电阻RDON低至2.8mΩ，可有效降低功率损耗并提升系统稳定性。该器件采用先进工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于如高效直流变换器、电池管理系统、智能电网设备及高密度电源模块等多种应用场景。
