SQD100N02_3M5L4GE3-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:80A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:3.5mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有以下主要参数：最大漏极电流ID为80A，漏源击穿电压VDSS为20V，导通电阻RDON低至3.5mΩ。该器件适用于高效率、高功率密度的开关电源、同步整流、DC-DC转换以及负载管理等应用场景，具备良好的热稳定性和快速开关特性，能够满足高频电路对性能的严苛要求。
