IPC100N04S52R8ATMA1-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:130A 参数2：电压VDSS:40V 参数3：RDON:2.8mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具备高性能与低导通损耗特点，适用于多种电源管理及功率转换场景。主要参数包括：最大漏极电流ID为130A，漏源击穿电压VDSS为40V，导通电阻RDON仅为2.8mΩ，有效提升系统效率并减少发热。器件结构优化，具备良好的耐压能力与开关特性，适用于高密度DC-DC转换器、同步整流电路、电池管理系统以及各类中高功率电子装置的设计应用。
